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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:16

题名/责任者:
CMOS电路设计·布局与仿真/(美)R.Jacob Baker,(美)Harry W.Li,(美)David E.Boyce著 陈中建译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2006
ISBN及定价:
7-111-16504-7/CNY79.00
载体形态项:
14,695页:图;26cm
并列正题名:
CMOS Circuit Design,Layout,and Simulation
丛编项:
电子与电气工程丛书
个人责任者:
(美) 贝克 R. J. Baker,R. J.
个人责任者:
(美) Li Harry W. 著
个人责任者:
(美) Boyce David E. 著
个人次要责任者:
陈中建
学科主题:
互补MOS集成电路-电路设计
学科主题:
互补MOS集成电路-系统仿真
非控制主题词:
CMOS
中图法分类号:
TN432.02
题名责任附注:
英文题名:CMOS Circuit Design,Layout,and Simulation
版本附注:
本书中文简体字版由约翰-威利父子公司授权出版
提要文摘附注:
本书全面阐述了CMOS集成电路设计的理论与相关技术,内容覆盖集成电路设计、仿真和物理实现的全过程。书中以现代观点对大量模拟和数字电路模块、BSIM模型、数据转换器的体系结构等内容进行了深入讨论。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN432.02/2 B00388920 2006  自然科学图书借阅室     借出-应还日期:2024-09-15 还书处
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