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题名/责任者:

纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测/(美) 桑迪普·K. 戈埃尔, (印度) 科瑞申恩度·查克拉巴蒂主编 续海涛等译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2016

ISBN及定价:

978-7-111-52184-6/CNY59.90

载体形态项:

191页:图;24cm

统一题名:

Testing for small-delay defects in nanoscale CMOS integrated circuits

丛编项:

国际信息工程先进技术译丛

个人责任者:

戈埃尔 (Goel, Sandeep K.) 主编

个人责任者:

查克拉巴蒂 (Chakrabary, Krishnendu) 主编

个人次要责任者:

续海涛 译

学科主题:

纳米材料-MOS集成电路-缺陷检验

中图法分类号:

TN432

相关题名附注:

英文原文题名取自于封面

书目附注:

有书目 (第184-191页)

提要文摘附注:

设计方法和工艺技术的革新使得集成电路的复杂度持续增加。现代集成电路（IC）的高复杂度和纳米尺度特征极易使其在制造过程中产生缺陷，同时也会引发性能和质量问题。本书包含了测试领域的许多常见问题，比如制程偏移、供电噪声、串扰、电阻性开路/电桥以及面向制造的设计（DfM）相关的规则违例等。本书也旨在讲述小延迟缺陷（SDD）的测试方法，由于SDD能够引起电路中的关键路径和非关键路径的瞬间时序失效，对其的研究和筛选测试方案的提出具有重大的意义。

使用对象附注:

从事微电子领域芯片测试领域工程师、微电子专业高校师生和研究人员。

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