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题名/责任者:

纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/(美)Sandip Kundu，(印)Aswin Sreedhar著 王昱阳，谢文遨译

出版发行项:

北京:科学出版社,2014

ISBN及定价:

978-7-03-040034-5/CNY58.00

载体形态项:

11,261页:图;24cm

并列正题名:

Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability

个人责任者:

(美) Kundu Sandip 著

个人责任者:

(印) Sreedhar Aswin 著

个人次要责任者:

王昱阳 译

个人次要责任者:

谢文遨 译

学科主题:

纳米材料-CMOS电路-超大规模集成电路-电路设计

中图法分类号:

TN432.02

出版发行附注:

由麦格劳－希尔（亚洲）教育出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版

出版发行附注:

本书限中国大陆发行

相关题名附注:

书名原文：Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability

提要文摘附注:

本书共分8章，内容包括当前CMOS VLSI设计的技术趋势，半导体制造的前期技术，当前和未来CMOS器件中的工艺参数偏差及其影响，通过版图分析实现光刻控制的基本原理及重要的光刻参数和概念，半导体制造中出现的多种制造缺陷，粒子缺陷和基于图形的缺陷对电路工作性能的影响，可靠性问题的表现及其影响，CAD工具和方法的变化等。

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