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题名/责任者:

集成功率器件设计及TCAD仿真/(加)付越[等]著 杨兵译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-111-59273-0/CNY125.00

载体形态项:

13,321页:图;24cm

并列正题名:

Integrated power devices and TCAD simulation (devices, circuits, and systems)

丛编项:

微电子与集成电路先进技术丛书

个人责任者:

(加) 付越 著

个人次要责任者:

杨兵 译

学科主题:

集成电路-功率半导体器件-计算机辅助设计

中图法分类号:

TN303-39

中图法分类号:

TN303

题名责任附注:

著者还有：(加)李占明、(加)吴卫东、(加)约翰尼 K.O. 辛(Johnny K. O. Sin)

版本附注:

由Taylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版

出版发行附注:

本书限中国大陆发行

相关题名附注:

封面英文题名：Integrated power devices and TCAD simulation (devices, circuits, and systems)

提要文摘附注:

本书从电力电子到功率集成电路（PIC）、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。书中不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）、横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术（TCAD）仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管（GaN功率HEMT）。

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