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题名/责任者:

抗辐射集成电路设计理论与方法/高武编著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-302-50529-7 精装/CNY139.00

载体形态项:

308页:图;26cm

并列正题名:

Design theories and methods of radiation-hardened CMOS integrated circuits

个人责任者:

高武 编著

学科主题:

抗辐射性-集成电路-电路设计

中图法分类号:

TN402

提要文摘附注:

本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应；接着详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学，包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等；最后介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。

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