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题名/责任者:

氮化镓功率晶体管:器件、电路与应用/(美)亚历克斯·利多(Alex Lidow)[等]著 段宝兴，杨银堂等译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2022.01

ISBN及定价:

978-7-111-69552-3/CNY139.00

载体形态项:

14,289页:彩图;24cm

并列正题名:

GaN transistors for efficient power conversion

其它题名:

器件、电路与应用

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

(美) 利多 (Lidow, Alex) 著

个人次要责任者:

段宝兴 译

个人次要责任者:

杨银堂 译

学科主题:

氮化镓-功率晶体管-研究

中图法分类号:

TN323

题名责任附注:

著者还有：(美)迈克尔·德·罗伊(Michael de Rooij)、(美)约翰·斯其顿(Johan Strydom)、(美)戴维·罗伊施(David Reusch)、(美)约翰·格拉泽(John Glaser)

版本附注:

由Wiley授权出版 据原书第3版译出

相关题名附注:

封面英文题名：GaN transistors for efficient power conversion

提要文摘附注:

本书共17章，第1章概述了氮化镓(GaN)技术；第2章为GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管驱动特性；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测l量；第6章介绍了GaN晶体管的散热管理；第7章介绍了硬开关技术；第8章介绍了软开关技术和变换器；第9章介绍了GaN晶体管射频性能；第10章介绍了DC-DC功率变换；第11章讨论了多电平变换器设计；第12章介绍了D类音频放大器；第13章介绍了GaN晶体管在激光雷达方面的应用；第14章介绍了包络跟踪技术；第15章讨论了高谐振无线电源；第16章讨论了GaN晶体管的空间应用；第17章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。

使用对象附注:

氮化镓功率晶体管研究人员

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