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题名/责任者:

纳米忆阻器与神经形态计算/(美)皮纳基·马祖姆德(Pinaki Mazumder)[等]著 于永斌，胡小方，符艺原译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2022.05

ISBN及定价:

978-7-111-70411-9/CNY89.00

载体形态项:

14,243页:图;24cm

并列正题名:

Neuromorphic circuits for nanoscale devices

丛编项:

IC设计与嵌入式系统开发丛书

个人责任者:

(美) 马祖姆德 (Mazumder, Pinaki) 著

个人次要责任者:

于永斌 译

个人次要责任者:

胡小方 译

个人次要责任者:

符艺原 译

学科主题:

纳米材料-非易失性存贮器-研究

中图法分类号:

TP333

一般附注:

华章IT

题名责任附注:

著者还有：(美)亚尔辛·耶尔马兹(Yalcin Yilmaz)、(美)艾东格·依邦(Idongesit Ebong)、(韩)李宇铉(Woo Hyung Lee)

版本附注:

由River Publishers授权出版

提要文摘附注:

本书阐述了纳米器件的工作原理，重点介绍了用于非易失性存储器、神经网络训练/学习和图像处理的神经形态电路。第1章至第4章从物理特性、器件建模、电路仿真、架构等方面介绍了忆阻器交叉阵列存储器；第5章和第6章介绍了基于学习的神经形态设计；第7章至第10章研究了基于量子隧穿器件的图像处理、视频运动处理和彩色图像处理算法；第11章和第12章介绍并分析了基于忆阻器的细胞神经网络。

使用对象附注:

纳米材料非易失性存贮器研究人员

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