无锡市图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

氮化镓晶体生长技术/(日)德克·埃伦特劳特(Dirk Ehrentraut)，(德)埃尔克·迈斯纳(Elke Meissner)，(波)迈克尔·博科夫斯基(Michal Bockowski)著 王党会，许天旱译

出版发行项:

北京:中国石化出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-5114-6521-4/CNY88.00

载体形态项:

232页:图;26cm

并列正题名:

Technology of gallium nitride crystal growth

个人责任者:

(日) 埃伦特劳特 (Ehrentraut, Dirk) 著

个人责任者:

(德) 迈斯纳 (Meissner, Elke) 著

个人责任者:

(波) 博科夫斯基 (Bockowski, Michal) 著

个人次要责任者:

王党会 (1976-) 译

个人次要责任者:

许天旱 (1971-) 译

学科主题:

氮化镓-晶体生长-工艺学

中图法分类号:

O78

一般附注:

西安石油大学“优秀学术著作出版基金”资助项目 Springer

提要文摘附注:

本书内容涵盖了第三代宽禁带半导体材料GaN晶体的生长方法、原理及实现技术，包括GaN晶体的应用前景、GaN晶体的卤化物气相外延生长技术、籽晶法生长Gain晶体、真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、卤化物气相外延生长非极性与半极性CaN晶体、金属有机化学气相外延的高速率生长CaN晶体、热氨法生长GaN晶体、高/低压环境下的GaN晶体生长技术、Na流量法生长大尺寸GaN技术简介及GaN晶体的表征方法等内容。

豆瓣简介：