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题名/责任者:

模拟CMOS电路设计折中与优化/(美)David M. Binkley著 冯军，胡庆生等译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2013

ISBN及定价:

978-7-121-20188-2/CNY79.00

载体形态项:

27,523页;26cm

并列正题名:

Tradeoffs and optimization in analog CMOS design

个人责任者:

(美) 宾克利 (Binkley, David M.) 著

个人次要责任者:

冯军 译

个人次要责任者:

胡庆生 译

学科主题:

模拟电路-CMOS电路-电路设计-高等学校-教材

中图法分类号:

TN432.02

一般附注:

国外电子与通信教材系列

版本附注:

由John Wiley & Sons, Ltd.授权出版

提要文摘附注:

本书分为两部分，第一部分研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出介绍；第二部分采用CMOS工艺结合典型电路计进行实例介绍， 给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。

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