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题名/责任者:

硅半导体器件辐射效应及加固技术/刘文平著

出版发行项:

北京:科学出版社,2013

ISBN及定价:

978-7-03-038702-8/CNY60.00

载体形态项:

222页:图;24cm

个人责任者:

刘文平 (1957-) 著

学科主题:

硅-半导体器件-辐射效应

学科主题:

硅-半导体器件-抗辐射性-加固

学科主题:

硅

学科主题:

半导体器件

学科主题:

辐射效应

学科主题:

抗辐射性

学科主题:

加固

中图法分类号:

TN304.1

提要文摘附注:

本书介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，内容包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效应的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法，最后对纳米级器件结构的辐射效应以及辐射加固的基本原理进行概述和展望。

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