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题名/责任者:

模拟CMOS集成电路设计/(美)毕查德·拉扎维(Behzad Razavi)著 陈贵灿[等]译

版本说明:

2版

出版发行项:

西安:西安交通大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-5693-0992-8/CNY138.00

载体形态项:

14,10,724页:图;26cm

并列正题名:

Design of analog CMOS integrated circuits

学科主题:

CMOS电路-电路设计

中图法分类号:

TN432.02

中图法分类号:

TN431.1

一般附注:

国外名校最新教材精选

题名责任附注:

译者还有：程军、张瑞智、张鸿

版本附注:

据原书第2版译出

出版发行附注:

由麦格希（亚洲）教育出版公司和西安交通大学出版社合作出版

出版发行附注:

本书限中国大陆发行

书目附注:

有索引

提要文摘附注:

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的最新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。

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