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• 010 __ |a 978-7-118-09078-9 |d CNY95.00

• 100 __ |a 20140123d2013 em y0chiy0110 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米半导体器件与技术 |9 na mi ban dao ti qi jian yu ji shu |b 专著 |d Nano-semiconductors: devices and technology |f (加)Krzysztof Iniewski编 |g 刘明，吕杭炳译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2013

• 215 __ |a 13,361页 |c 图 |d 26cm

• 225 1_ |a 高新科技译丛

• 305 __ |a Taylor and Francis Group, LLC授权出版

• 330 __ |a 本书介绍了半导体工艺从标准CMOS硅工艺到新型器件结构的演变，包括碳纳米管、石墨烯、量子点等，涉及纳米电子器件的研究现状，提供了关于材料和器件结构的资源，包括从微电子到纳电子的革命。

• 510 1_ |a Nano-semiconductors: devices and technology |z eng

• 606 0_ |a 纳米技术 |x 半导体器件 |x 研究

• 606 0_ |a 纳米技术

• 606 0_ |a 半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (加) |a 印纽斯基 |9 yin niu si ji |c (Iniewski, Krzysztof) |4 编

• 702 _0 |a 刘明 |9 liu ming |c (女， |f 1964-) |4 译

• 702 _0 |a 吕杭炳 |9 lv hang bing |4 译

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20140213

• 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20140611

• 905 __ |a Wuxilib |d TN303/44