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• 005 20220913104900.0

• 010 __ |a 978-7-111-70411-9 |d CNY89.00

• 100 __ |a 20220610d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng |c kor

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米忆阻器与神经形态计算 |9 na mi yi zu qi yu shen jing xing tai ji suan |b 专著 |d Neuromorphic circuits for nanoscale devices |f (美)皮纳基·马祖姆德(Pinaki Mazumder)[等]著 |g 于永斌，胡小方，符艺原译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022.05

• 215 __ |a 14,243页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a IC设计与嵌入式系统开发丛书

• 300 __ |a 华章IT

• 304 __ |a 著者还有：(美)亚尔辛·耶尔马兹(Yalcin Yilmaz)、(美)艾东格·依邦(Idongesit Ebong)、(韩)李宇铉(Woo Hyung Lee)

• 305 __ |a 由River Publishers授权出版

• 330 __ |a 本书阐述了纳米器件的工作原理，重点介绍了用于非易失性存储器、神经网络训练/学习和图像处理的神经形态电路。第1章至第4章从物理特性、器件建模、电路仿真、架构等方面介绍了忆阻器交叉阵列存储器；第5章和第6章介绍了基于学习的神经形态设计；第7章至第10章研究了基于量子隧穿器件的图像处理、视频运动处理和彩色图像处理算法；第11章和第12章介绍并分析了基于忆阻器的细胞神经网络。

• 333 __ |a 纳米材料非易失性存贮器研究人员

• 510 1_ |a Neuromorphic circuits for nanoscale devices |z eng

• 606 0_ |a 纳米材料 |x 非易失性存贮器 |x 研究

• 690 __ |a TP333 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 马祖姆德 |9 ma zu mu de |c (Mazumder, Pinaki) |4 著

• 702 _0 |a 于永斌 |9 yu yong bin |4 译

• 702 _0 |a 胡小方 |9 hu xiao fang |4 译

• 702 _0 |a 符艺原 |9 fu yi yuan |4 译

• 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20220610

• 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20220908

• 905 __ |a Wuxilib |d TP333/36