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• 010 __ |a 978-7-302-50529-7 |b 精装 |d CNY139.00

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• 200 1_ |a 抗辐射集成电路设计理论与方法 |9 kang fu she ji cheng dian lu she ji li lun yu fang fa |b 专著 |d Design theories and methods of radiation-hardened CMOS integrated circuits |f 高武编著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2018

• 215 __ |a 308页 |c 图 |d 26cm

• 330 __ |a 本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应；接着详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学，包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等；最后介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。

• 510 1_ |a Design theories and methods of radiation-hardened CMOS integrated circuits |z eng

• 606 0_ |a 抗辐射性 |x 集成电路 |x 电路设计

• 690 __ |a TN402 |v 5

• 701 _0 |a 高武 |9 gao wu |4 编著

• 801 _0 |a CN |b A2300000HPL |c 20190416

• 905 __ |a Wuxilib |d TN402/41