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• 001 0001116636

• 005 20230807153000.0

• 010 __ |a 978-7-111-72873-3 |d CNY189.00

• 100 __ |a 20230711d2023 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化物半导体技术 |9 dan hua wu ban dao ti ji shu |b 专著 |e 功率电子和光电子器件 |f (意)法布里齐奥·罗卡福特(Fabrizio Roccaforte), (波)迈克·莱辛斯基(Mike Leszczynski)主编 |g 李晨[等]译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2023

• 215 __ |a 14,400页 |c 图，照片 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 300 __ |a WILEY 机工电子

• 304 __ |a 译者还有：吴洪江、石伟、万成安、汪志强、王传声等30人

• 305 __ |a Wiley授权出版

• 312 __ |a 版权页英文题名：Nitride semiconductor: technology-power electronics and optoelectronic devices

• 330 __ |a 本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用；还进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。

• 510 1_ |a Nitride semiconductor |e technology-power electronics and optoelectronic devices |z eng

• 517 1_ |a 功率电子和光电子器件 |9 gong lv dian zi he guang dian zi qi jian

• 606 0_ |a 氮化物 |x 半导体材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _1 |c (意) |a 罗卡福特 |9 luo ka fu te |g (Roccaforte, Fabrizio) |4 主编

• 701 _1 |c (波) |a 莱辛斯基 |9 lai xin si ji |g (Leszczynski, Mike) |4 主编

• 702 _0 |a 李晨 |9 li chen |4 译

• 801 _0 |a CN |b A310000SHL |c 20230801

• 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20230807

• 905 __ |a Wuxilib |d TN304/21