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• 010 __ |a 978-7-111-49307-5 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20150528d2015 em y0chiy0110 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

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• 200 1_ |a 先进的高压大功率器件 |9 xian jin de gao ya da gong lv qi jian |b 专著 |d Advanced high voltage power device concepts |e 原理、特性和应用 |f (美)B. Jayant Baliga著 |g 于坤山[等]译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2015

• 215 __ |a 14,442页 |d 24cm

• 225 2_ |a 国际电气工程先进技术译丛

• 304 __ |a 译者还有：金锐、杨霏、赵志斌、齐磊

• 305 __ |a 由Springer授权

• 330 __ |a 本书共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST）。最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。

• 461 _0 |1 2001 |a 国际电气工程先进技术译丛

• 510 1_ |a Advanced high voltage power device concepts |z eng

• 606 0_ |a 大功率 |x 功率半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 巴利加 |9 ba li jia |c (Baliga, B. Jayant) |4 著

• 702 _0 |a 于坤山 |9 yu kun shan |4 译

• 801 _0 |a CN |b 浙江省新华书店集团公司 |c 20150528

• 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20150807

• 905 __ |a Wuxilib |d TN303/46