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- 000 01559nam0 2200301 450
- 010 __ |a 978-7-111-58680-7 |d CNY150.00
- 100 __ |a 20180511d2018 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 碳化硅技术基本原理 |9 tan hua gui ji shu ji ben yuan li |b 专著 |e 生长、表征、器件和应用 |d Fundamentals of silicon carbide technology |e growth, characterization, devices, and applications |f (日)木本恒暢,(美)詹姆士A. 库珀(James A. Cooper)著 |g 夏经华[等]译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018
- 215 __ |a 13,500页 |c 图 |d 24cm
- 304 __ |a 译者还有:潘艳、杨霏、张安平、邓小川、温家良等6人
- 330 __ |a 本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍,其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷;器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念;单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件;以及碳化硅器件的系统应用,涵盖了基本概念和最新发展现状,并针对每个主题做深入的阐释,包括基本的物理特性、最新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。
- 510 1_ |a Fundamentals of silicon carbide technology |e growth, characterization, devices, and applications |z eng
- 701 _0 |c (日) |a 木本恒暢 |9 mu ben heng chang |4 著
- 701 _0 |c (美) |a 库珀 |9 ku po |c (Cooper, James A.) |4 著
- 702 _0 |a 夏经华 |9 xia jing hua |4 译
- 801 _0 |a CN |b zjlib |c 20180524
- 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20181127
- 905 __ |a Wuxilib |d TQ174.75/11