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- 000 01524nam0 2200325 450
- 010 __ |a 978-7-03-040034-5 |d CNY58.00
- 100 __ |a 20140409d2014 em y0chiy0110 ea
- 200 1_ |a 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计 |9 na mi ji CMOS chao da gui mo ji cheng dian lu ke zhi zao xing she ji |b 专著 |f (美)Sandip Kundu,(印)Aswin Sreedhar著 |g 王昱阳,谢文遨译
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014
- 215 __ |a 11,261页 |c 图 |d 24cm
- 306 __ |a 由麦格劳-希尔(亚洲)教育出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版
- 312 __ |a 书名原文:Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability
- 330 __ |a 本书共分8章,内容包括当前CMOS VLSI设计的技术趋势,半导体制造的前期技术,当前和未来CMOS器件中的工艺参数偏差及其影响,通过版图分析实现光刻控制的基本原理及重要的光刻参数和概念,半导体制造中出现的多种制造缺陷,粒子缺陷和基于图形的缺陷对电路工作性能的影响,可靠性问题的表现及其影响,CAD工具和方法的变化等。
- 510 1_ |a Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability |z eng
- 606 0_ |a 纳米材料 |x CMOS电路 |x 超大规模集成电路 |x 电路设计
- 701 _1 |c (美) |a Kundu |b Sandip |4 著
- 701 _1 |c (印) |a Sreedhar |b Aswin |4 著
- 702 _0 |a 王昱阳 |9 wang yu yang |4 译
- 702 _0 |a 谢文遨 |9 xie wen ao |4 译
- 801 _0 |a CN |b 浙江省新华书店集团公司 |c 20140409
- 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20160628
- 905 __ |a Wuxilib |d TN432.02/18