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• 000 01322nam2 2200313 450

• 001 0000424325

• 005 20110505141400.0

• 010 __ |a 978-7-121-11254-6 |d CNY59.00

• 100 __ |a 20100826d2010 em y0chiy0110 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体器件基础 |9 ban dao ti qi jian ji chu |d Semiconductor device fundamentals |f (美)Robert F. Pierret著 |g 黄如等译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2010

• 215 __ |a 20,562页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国外电子与通信教材系列

• 304 __ |a 译者还有：王漪、王金延、金海岩

• 305 __ |a 由Pearson Education(培生教育出版集团)授权出版

• 330 __ |a 本书分为三个部分共19章，介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识及半导体制备工艺方面的基本概念；阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析；讨论了场效应器件，除了讲解基础知识之外，还分析了小尺寸器件相关的物理问题，并介绍了一些新型场效应器件。

• 461 _0 |1 2001 |a 国外电子与通信教材系列

• 510 1_ |a Semiconductor device fundamentals |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件 |j 教材

• 690 __ |a TN303 |v 4

• 701 _0 |c (美) |a 皮埃罗 |9 pi ai luo |c (Pierret, Robert F.) |4 著

• 702 _0 |a 黄如 |9 huang ru |4 译

• 801 _0 |a CN |b SG08 |c 20100831

• 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20110505

• 905 __ |a Wuxilib |d TN303/40