机读格式显示(MARC)

• 000 01608oam2 2200361 450

• 001 0001134337

• 005 20250523133800.0

• 010 __ |a 978-7-111-73693-6 |d CNY149.00

• 100 __ |a 20231227d2024 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体功率器件 |9 kuan jin dai ban dao ti gong lv qi jian |b 专著 |e 材料、物理、设计及应用 |f (美)贾扬·巴利加(B. Jayant Baliga)等著 |g 杨兵译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 331页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 300 __ |a CMP BOOKS ELSEVIER

• 305 __ |a ELSEVIER INC授权出版

• 306 __ |a 限中国大陆发行

• 312 __ |a 版权页英文题名：Wide bandgap semiconductor power devices: materials, physics, design, and applications

• 330 __ |a 本书讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。

• 461 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 461 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 510 1_ |a Wide bandgap semiconductor power devices |e materials, physics, design, and applications |z eng

• 606 0_ |a 禁带 |x 半导体器件 |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 巴利加 |9 ba li jia |c (Baliga, B. Jayant) |4 著

• 702 _0 |a 杨兵 |9 yang bing |4 译

• 801 _0 |a CN |b 浙江省新华书店集团公司 |c 20231227

• 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20250519

• 905 __ |a Wuxilib |d TN303/60