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• 010 __ |a 978-7-111-73066-8 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20230628d2023 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 图解入门 |A tu jie ru men |e 半导体元器件精讲 |f (日) 执行直之著 |g 娄煜译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2023.6

• 215 __ |a Ⅻ, 159页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与技术丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu ji shu cong shu

• 330 __ |a 全书共7章，包括半导体以及 MOS晶体管的简单说明，半导体的基础物理、PN 结二极管、双极性晶体管、 MOS电容器、 MOS晶体管、超 LSI器件等。在本书最后附加了常量表，室温下（300k）的 SI基本常量，从基本专利到实用化的MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度N以及空穴密度P的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流Id饱和的解释。

• 333 __ |a 主要面向于具有高中数理基础的半导体初学者。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与技术丛书

• 517 1_ |a 半导体元器件精讲 |A ban dao ti yuan qi jian jing jiang

• 606 0_ |a 半导体集成电路 |A ban dao ti ji cheng dian lu |j 图解

• 690 __ |a TN43 |v 5

• 701 _0 |a 执行直之 |A zhi xing zhi zhi |4 著

• 702 _0 |a 娄煜 |A lou yu |4 译

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20230605

• 801 _2 |a CN |b Wuxilib |c 20231026

• 905 __ |a Wuxilib |d TN43/44